Pulla Reddy (35 results)

Taschenbuch. Condition: Neu. SRAM Design in Nanometer Technologies | Low Voltage SRAM Circuit Techniques | Pulla Reddy A (u. a.) | Taschenbuch | Englisch | 2023 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9786206844730 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.

Taschenbuch. Condition: Neu. Diseño de SRAM en tecnologías nanométricas | Técnicas de circuitos SRAM de bajo voltaje | Pulla Reddy A. (u. a.) | Taschenbuch | Spanisch | 2023 | Ediciones Nuestro Conocimiento | EAN 9786206905714 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.

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Taschenbuch. Condition: Neu. Conception de SRAM dans les technologies nanométriques | Techniques de circuits SRAM à basse tension | Pulla Reddy A. (u. a.) | Taschenbuch | Französisch | 2023 | Editions Notre Savoir | EAN 9786206905721 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.

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Taschenbuch. Condition: Neu. Conceção de SRAM em tecnologias nanométricas | Técnicas de circuitos SRAM de baixa tensão | Pulla Reddy A. (u. a.) | Taschenbuch | Portugiesisch | 2023 | Edições Nosso Conhecimento | EAN 9786206905691 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.

Taschenbuch. Condition: Neu. Progettazione di SRAM in tecnologie nanometriche | Tecniche di circuito SRAM a bassa tensione | Pulla Reddy A. (u. a.) | Taschenbuch | Italienisch | 2023 | Edizioni Sapienza | EAN 9786206905738 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.

Taschenbuch. Condition: Neu. Proektirowanie SRAM w nanometrowyh tehnologiqh | Metody postroeniq nizkowol'tnyh mikroshem SRAM | Pulla Reddy A. (u. a.) | Taschenbuch | Russisch | 2023 | Sciencia Scripts | EAN 9786206905745 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.

Taschenbuch. Condition: Neu. SRAM-Design in Nanometer-Technologien | Niederspannungs-SRAM-Schaltungstechniken | Pulla Reddy A. (u. a.) | Taschenbuch | 132 S. | Deutsch | 2023 | Verlag Unser Wissen | EAN 9786206905707 | Verantwortliche Person für die EU: BoD - Books on Demand, In de Tarpen 42, 22848 Norderstedt, info[at]bod[dot]de | Anbieter: preigu.

Condition: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: Reddy A.V. SudhakaraDr. A. V. Sudhakara Reddy has 12 years ofexperience in Teaching and Research. He received Doctor of Philosophy from Sri Venkateswara University, India. Presently he is working as Assistant Professor and R&D Assoc .

Taschenbuch. Condition: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware 120 pp. Englisch.

Condition: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. In the design of VLSI, where an improvement in minimum supply voltage and a change in few Pico seconds of memory access or cycle times will make a big impact on SoC designs performance. SRAM cell write-ability and read stability are of prime concern at low .

Taschenbuch. Condition: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware 128 pp. Spanisch.

Taschenbuch. Condition: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -In the design of VLSI, where an improvement in minimum supply voltage and a change in few Pico seconds of memory access or cycle times will make a big impact on SoC designs performance. SRAM cell write-ability and read stability are of prime concern at low supply voltages and also for process, voltage and temperature variations. When low supply voltage is applied to SRAM cell, the write operation will not be performed because the cell will not flip to desired voltage levels. A write assist circuit using a negative bitline voltage technique which can assist SRAM cell to flip to the desired voltage levels and assists the write operation is proposed for reducing write failures at low supply voltages.When low supply voltage applied to SRAM cell the read operation will not be performed in the selected cell and the cell stored data will be disturbed in the unselected cells. The proposed lowered WL voltage read assist circuit technique prevents the data from getting disturbed in unselected cells and also assists the read operation in selected cell.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 120 pp. Englisch.

Taschenbuch. Condition: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - In the design of VLSI, where an improvement in minimum supply voltage and a change in few Pico seconds of memory access or cycle times will make a big impact on SoC designs performance. SRAM cell write-ability and read stability are of prime concern at low supply voltages and also for process, voltage and temperature variations. When low supply voltage is applied to SRAM cell, the write operation will not be performed because the cell will not flip to desired voltage levels. A write assist circuit using a negative bitline voltage technique which can assist SRAM cell to flip to the desired voltage levels and assists the write operation is proposed for reducing write failures at low supply voltages.When low supply voltage applied to SRAM cell the read operation will not be performed in the selected cell and the cell stored data will be disturbed in the unselected cells. The proposed lowered WL voltage read assist circuit technique prevents the data from getting disturbed in unselected cells and also assists the read operation in selected cell.

Taschenbuch. Condition: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware 128 pp. Französisch.

Taschenbuch. Condition: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -En el diseño de VLSI, donde una mejora en la tensión de alimentación mínima y un cambio en unos pocos Pico segundos de acceso a la memoria o tiempos de ciclo tendrán un gran impacto en el rendimiento de los diseños de SoC. La capacidad de escritura y la estabilidad de lectura de las celdas SRAM son de interés primordial a bajas tensiones de alimentación y también para variaciones de proceso, tensión y temperatura. Cuando se aplica una tensión de alimentación baja a la célula SRAM, no se puede realizar la operación de escritura porque la célula no se voltea a los niveles de tensión deseados. Para reducir los fallos de escritura con tensiones de alimentación bajas, se propone un circuito de ayuda a la escritura que utiliza una técnica de tensión de línea de bits negativa que puede ayudar a la célula SRAM a cambiar a los niveles de tensión deseados y ayuda a la operación de escritura.Cuando se aplica una tensión de alimentación baja a la celda SRAM, la operación de lectura no se realizará en la celda seleccionada y los datos almacenados en la celda se alterarán en las celdas no seleccionadas. La técnica propuesta de circuito de asistencia a la lectura a bajo voltaje WL evita que los datos se alteren en las celdas no seleccionadas y también ayuda a la operación de lectura en la celda seleccionada.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 128 pp. Spanisch.

Taschenbuch. Condition: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - En el diseño de VLSI, donde una mejora en la tensión de alimentación mínima y un cambio en unos pocos Pico segundos de acceso a la memoria o tiempos de ciclo tendrán un gran impacto en el rendimiento de los diseños de SoC. La capacidad de escritura y la estabilidad de lectura de las celdas SRAM son de interés primordial a bajas tensiones de alimentación y también para variaciones de proceso, tensión y temperatura. Cuando se aplica una tensión de alimentación baja a la célula SRAM, no se puede realizar la operación de escritura porque la célula no se voltea a los niveles de tensión deseados. Para reducir los fallos de escritura con tensiones de alimentación bajas, se propone un circuito de ayuda a la escritura que utiliza una técnica de tensión de línea de bits negativa que puede ayudar a la célula SRAM a cambiar a los niveles de tensión deseados y ayuda a la operación de escritura.Cuando se aplica una tensión de alimentación baja a la celda SRAM, la operación de lectura no se realizará en la celda seleccionada y los datos almacenados en la celda se alterarán en las celdas no seleccionadas. La técnica propuesta de circuito de asistencia a la lectura a bajo voltaje WL evita que los datos se alteren en las celdas no seleccionadas y también ayuda a la operación de lectura en la celda seleccionada.

Taschenbuch. Condition: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware 136 pp. Russisch.

Taschenbuch. Condition: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Dans la conception de VLSI, où une amélioration de la tension d'alimentation minimale et un changement de quelques Pico secondes d'accès à la mémoire ou de temps de cycle auront un impact important sur les performances des conceptions de SoC. La capacité d'écriture et la stabilité de lecture de la cellule SRAM sont une préoccupation majeure à faible tension d'alimentation, ainsi que pour les variations de processus, de tension et de température. Lorsqu'une faible tension d'alimentation est appliquée à une cellule SRAM, l'opération d'écriture ne sera pas effectuée car la cellule ne basculera pas aux niveaux de tension souhaités. Un circuit d'assistance à l'écriture utilisant une technique de tension de ligne de bit négative qui peut aider la cellule SRAM à basculer aux niveaux de tension souhaités et assister l'opération d'écriture est proposé pour réduire les échecs d'écriture à faible tension d'alimentation.Lorsqu'une faible tension d'alimentation est appliquée à une cellule SRAM, l'opération de lecture ne sera pas effectuée dans la cellule sélectionnée et les données stockées dans la cellule seront perturbées dans les cellules non sélectionnées. La technique proposée de circuit d'assistance à la lecture à faible tension d'alimentation empêche les données d'être perturbées dans les cellules non sélectionnées et assiste également l'opération de lecture dans la cellule sélectionnée.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 128 pp. Französisch.

Taschenbuch. Condition: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Dans la conception de VLSI, où une amélioration de la tension d'alimentation minimale et un changement de quelques Pico secondes d'accès à la mémoire ou de temps de cycle auront un impact important sur les performances des conceptions de SoC. La capacité d'écriture et la stabilité de lecture de la cellule SRAM sont une préoccupation majeure à faible tension d'alimentation, ainsi que pour les variations de processus, de tension et de température. Lorsqu'une faible tension d'alimentation est appliquée à une cellule SRAM, l'opération d'écriture ne sera pas effectuée car la cellule ne basculera pas aux niveaux de tension souhaités. Un circuit d'assistance à l'écriture utilisant une technique de tension de ligne de bit négative qui peut aider la cellule SRAM à basculer aux niveaux de tension souhaités et assister l'opération d'écriture est proposé pour réduire les échecs d'écriture à faible tension d'alimentation.Lorsqu'une faible tension d'alimentation est appliquée à une cellule SRAM, l'opération de lecture ne sera pas effectuée dans la cellule sélectionnée et les données stockées dans la cellule seront perturbées dans les cellules non sélectionnées. La technique proposée de circuit d'assistance à la lecture à faible tension d'alimentation empêche les données d'être perturbées dans les cellules non sélectionnées et assiste également l'opération de lecture dans la cellule sélectionnée.

Taschenbuch. Condition: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware 128 pp. Portugiesisch.

Taschenbuch. Condition: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware 128 pp. Italienisch.

Taschenbuch. Condition: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware 132 pp. Deutsch.

Taschenbuch. Condition: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Pri proektirowanii SBIS uluchshenie minimal'nogo naprqzheniq pitaniq i izmenenie neskol'kih pikosekund wremeni dostupa k pamqti ili wremeni cikla okazhut bol'shoe wliqnie na proizwoditel'nost' SoC. Stabil'nost' zapisi i chteniq qcheek SRAM pri nizkom naprqzhenii pitaniq, a takzhe pri izmenenii tehnologicheskogo processa, naprqzheniq i temperatury qwlqütsq perwoocherednymi zadachami. Kogda na qchejku SRAM podaetsq nizkoe naprqzhenie pitaniq, operaciq zapisi ne budet wypolnena, poskol'ku qchejka ne perejdet na nuzhnyj urowen' naprqzheniq. Dlq umen'sheniq sboew pri zapisi pri nizkom naprqzhenii pitaniq predlagaetsq shema pomoschi pri zapisi, ispol'zuüschaq metod otricatel'nogo naprqzheniq na bitowoj linii, kotoryj mozhet pomoch' qchejke SRAM perewernut'sq na nuzhnye urowni naprqzheniq i wypolnit' operaciü zapisi.Pri podache nizkogo naprqzheniq pitaniq na qchejku SRAM operaciq chteniq ne budet wypolnena w wybrannoj qchejke, i sohranennye w nej dannye budut narusheny w newybrannyh qchejkah. Predlagaemaq shema pomoschi chteniq pri ponizhennom naprqzhenii pitaniq VL predotwraschaet narushenie dannyh w newybrannyh qchejkah, a takzhe pomogaet wypolnit' operaciü chteniq w wybrannoj qchejke.Books on Demand GmbH, Überseering 33, 22297 Hamburg 136 pp. Russisch.

Condition: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: A. Pulla ReddyA. Pulla Reddy, Professore Associato, Dipartimento di ECE. Ha 12 anni di esperienza di insegnamento. La sua area di ricerca comprende i circuiti elettronici digitali e analogici.Prof. G. Sreenivasulu, Professore, Dipart.

Condition: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: A. Pulla ReddyA. Pulla Reddy, ausserordentlicher Professor, Fachbereich ECE. Er hat 12 Jahre Lehrerfahrung und seine Forschungsinteressen umfassen digitale und analoge elektronische Schaltungen.Prof. G. Sreenivasulu, Professor, Fachbe.

Taschenbuch. Condition: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Nella progettazione di VLSI, dove un miglioramento della tensione minima di alimentazione e una variazione di pochi secondi di accesso alla memoria o dei tempi di ciclo avranno un grande impatto sulle prestazioni dei SoC. La scrivibilità e la stabilità di lettura delle celle SRAM sono di primaria importanza a basse tensioni di alimentazione e anche per le variazioni di processo, tensione e temperatura. Quando si applica una bassa tensione di alimentazione alla cella SRAM, l'operazione di scrittura non viene eseguita perché la cella non si ribalta ai livelli di tensione desiderati. Per ridurre gli errori di scrittura a basse tensioni di alimentazione, viene proposto un circuito di assistenza alla scrittura che utilizza una tecnica di tensione negativa della linea di bit, in grado di aiutare la cella SRAM a passare ai livelli di tensione desiderati e di assistere l'operazione di scrittura.Quando si applica una bassa tensione di alimentazione alla cella SRAM, l'operazione di lettura non viene eseguita nella cella selezionata e i dati memorizzati nella cella non selezionata vengono disturbati. La tecnica di circuito di assistenza alla lettura a bassa tensione WL proposta impedisce che i dati vengano disturbati nelle celle non selezionate e assiste l'operazione di lettura nella cella selezionata.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 128 pp. Italienisch.

Taschenbuch. Condition: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Bei der Entwicklung von VLSI, wo eine Verbesserung der Mindestversorgungsspannung und eine Änderung der Speicherzugriffs- oder Zykluszeiten um einige Pico-Sekunden einen großen Einfluss auf die Leistung von SoC-Designs haben. Die Schreib- und Lesestabilität von SRAM-Zellen ist bei niedrigen Versorgungsspannungen und auch bei Prozess-, Spannungs- und Temperaturschwankungen von größter Bedeutung. Wenn eine niedrige Versorgungsspannung an die SRAM-Zelle angelegt wird, kann der Schreibvorgang nicht durchgeführt werden, da die Zelle nicht auf die gewünschten Spannungspegel kippen kann. Zur Verringerung von Schreibfehlern bei niedrigen Versorgungsspannungen wird eine Schreibhilfsschaltung vorgeschlagen, die eine negative Bitleitungsspannung verwendet und die SRAM-Zelle dabei unterstützt, auf die gewünschten Spannungspegel zu kippen und den Schreibvorgang zu unterstützen.Wenn eine niedrige Versorgungsspannung an die SRAM-Zelle angelegt wird, kann der Lesevorgang in der ausgewählten Zelle nicht durchgeführt werden und die in der Zelle gespeicherten Daten werden in den nicht ausgewählten Zellen gestört. Die vorgeschlagene Schaltungstechnik zur Leseunterstützung bei niedriger WL-Spannung verhindert, dass die Daten in den nicht ausgewählten Zellen gestört werden, und unterstützt auch den Lesevorgang in der ausgewählten Zelle.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 132 pp. Deutsch.

Taschenbuch. Condition: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Bei der Entwicklung von VLSI, wo eine Verbesserung der Mindestversorgungsspannung und eine Änderung der Speicherzugriffs- oder Zykluszeiten um einige Pico-Sekunden einen großen Einfluss auf die Leistung von SoC-Designs haben. Die Schreib- und Lesestabilität von SRAM-Zellen ist bei niedrigen Versorgungsspannungen und auch bei Prozess-, Spannungs- und Temperaturschwankungen von größter Bedeutung. Wenn eine niedrige Versorgungsspannung an die SRAM-Zelle angelegt wird, kann der Schreibvorgang nicht durchgeführt werden, da die Zelle nicht auf die gewünschten Spannungspegel kippen kann. Zur Verringerung von Schreibfehlern bei niedrigen Versorgungsspannungen wird eine Schreibhilfsschaltung vorgeschlagen, die eine negative Bitleitungsspannung verwendet und die SRAM-Zelle dabei unterstützt, auf die gewünschten Spannungspegel zu kippen und den Schreibvorgang zu unterstützen.Wenn eine niedrige Versorgungsspannung an die SRAM-Zelle angelegt wird, kann der Lesevorgang in der ausgewählten Zelle nicht durchgeführt werden und die in der Zelle gespeicherten Daten werden in den nicht ausgewählten Zellen gestört. Die vorgeschlagene Schaltungstechnik zur Leseunterstützung bei niedriger WL-Spannung verhindert, dass die Daten in den nicht ausgewählten Zellen gestört werden, und unterstützt auch den Lesevorgang in der ausgewählten Zelle.