Published by Ediciones Nuestro Conocimiento, 2022
ISBN 10: 6205313804 ISBN 13: 9786205313800
Language: Spanish
Seller: moluna, Greven, Germany
£ 28.59
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Published by Ediciones Nuestro Conocimiento Okt 2022, 2022
ISBN 10: 6205313804 ISBN 13: 9786205313800
Language: Spanish
Seller: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Germany
£ 34.80
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Add to basketTaschenbuch. Condition: Neu. Neuware -Diseñar una memoria dinámica sincrónica de acceso aleatorio (SDRAM) de 8 MB x 16 x 4 Bancos (512 MB) utilizando el lenguaje de descripción de hardware Verilog, que puede utilizarse en cualquier aplicación basada en la memoria. Hoy en día, los ordenadores, así como otros sistemas electrónicos que requieren grandes cantidades de memoria, utilizan DRAMs para la memoria central. Gracias a la exclusiva estructura de celdas de transistores de las DRAM, es posible construir redes de memoria extremadamente densas en un único dispositivo que ocupa un espacio relativamente pequeño. Las DRAM convencionales se controlan de forma asíncrona, lo que obliga al diseñador del sistema a introducir manualmente los estados de espera para cumplir las especificaciones del dispositivo. El tiempo de sincronización depende de la velocidad de la DRAM y es independiente de la velocidad del bus del sistema. Estas limitaciones de la sincronización son las que han llevado al desarrollo de la SDRAM, quees en gran medida una DRAM rápida con una interfaz sincrónica de alta velocidad. Las señales de entrada/salida y del controlador se sincronizan con un reloj externo, lo que pone a disposición del diseñador nuevas opciones. Con la SDRAM se pueden obtener circuitos de interfaz simplificados y un gran ancho de banda de datos en comparación con la DRAM convencional.Books on Demand GmbH, Überseering 33, 22297 Hamburg 52 pp. Spanisch.
Published by Ediciones Nuestro Conocimiento Okt 2022, 2022
ISBN 10: 6205313804 ISBN 13: 9786205313800
Language: Spanish
Seller: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Germany
£ 34.80
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Add to basketTaschenbuch. Condition: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Diseñar una memoria dinámica sincrónica de acceso aleatorio (SDRAM) de 8 MB x 16 x 4 Bancos (512 MB) utilizando el lenguaje de descripción de hardware Verilog, que puede utilizarse en cualquier aplicación basada en la memoria. Hoy en día, los ordenadores, así como otros sistemas electrónicos que requieren grandes cantidades de memoria, utilizan DRAMs para la memoria central. Gracias a la exclusiva estructura de celdas de transistores de las DRAM, es posible construir redes de memoria extremadamente densas en un único dispositivo que ocupa un espacio relativamente pequeño. Las DRAM convencionales se controlan de forma asíncrona, lo que obliga al diseñador del sistema a introducir manualmente los estados de espera para cumplir las especificaciones del dispositivo. El tiempo de sincronización depende de la velocidad de la DRAM y es independiente de la velocidad del bus del sistema. Estas limitaciones de la sincronización son las que han llevado al desarrollo de la SDRAM, quees en gran medida una DRAM rápida con una interfaz sincrónica de alta velocidad. Las señales de entrada/salida y del controlador se sincronizan con un reloj externo, lo que pone a disposición del diseñador nuevas opciones. Con la SDRAM se pueden obtener circuitos de interfaz simplificados y un gran ancho de banda de datos en comparación con la DRAM convencional. 52 pp. Spanisch.
Published by Ediciones Nuestro Conocimiento, 2022
ISBN 10: 6205313804 ISBN 13: 9786205313800
Language: Spanish
Seller: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Germany
£ 35.67
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Add to basketTaschenbuch. Condition: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Diseñar una memoria dinámica sincrónica de acceso aleatorio (SDRAM) de 8 MB x 16 x 4 Bancos (512 MB) utilizando el lenguaje de descripción de hardware Verilog, que puede utilizarse en cualquier aplicación basada en la memoria. Hoy en día, los ordenadores, así como otros sistemas electrónicos que requieren grandes cantidades de memoria, utilizan DRAMs para la memoria central. Gracias a la exclusiva estructura de celdas de transistores de las DRAM, es posible construir redes de memoria extremadamente densas en un único dispositivo que ocupa un espacio relativamente pequeño. Las DRAM convencionales se controlan de forma asíncrona, lo que obliga al diseñador del sistema a introducir manualmente los estados de espera para cumplir las especificaciones del dispositivo. El tiempo de sincronización depende de la velocidad de la DRAM y es independiente de la velocidad del bus del sistema. Estas limitaciones de la sincronización son las que han llevado al desarrollo de la SDRAM, quees en gran medida una DRAM rápida con una interfaz sincrónica de alta velocidad. Las señales de entrada/salida y del controlador se sincronizan con un reloj externo, lo que pone a disposición del diseñador nuevas opciones. Con la SDRAM se pueden obtener circuitos de interfaz simplificados y un gran ancho de banda de datos en comparación con la DRAM convencional.