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9787121305054: 数字集成电路 电路、系统与设计(第二版)

Synopsis

本书由美国加州大学伯克利分校JanM.Rabaey教授等人所著。全书共12章,分为三部分:基本单元、电路设计和系统设计。本书在对MOS器件和连线的特性做了简要的介绍之后,深入分析了数字设计的核心――反相器,并逐步将这些知识延伸到组合逻辑电路、时序逻辑电路、控制器、运算电路以及存储器这些复杂数字电路与系统的设计中。为了反映数字集成电路设计进入深亚微米领域后正在发生的深刻变化,本书以CMOS工艺的实际电路为例,讨论了深亚微米器件效应、电路*优化、互连线建模和优化、信号完整性、时序分析、时钟分配、高性能和低功耗设计、设计验证、芯片测试和可测性设计等主题,着重探讨了深亚微米数字集成电路设计所面临的挑战和启示。第一部分基本单元第1章引论1.1历史回顾1.2数字集成电路设计中的问题1.3数字设计的质量评价1.3.1集成电路的成本1.3.2功能性和稳定性1.3.3性能1.3.4功耗和能耗1.4小结1.5进一步探讨期刊和会议论文集参考书目参考文献习题第2章制造工艺2.1引言2.2CMOS集成电路的制造2.2.1硅圆片2.2.3一些重复进行的工艺步骤2.2.4简化的CMOS工艺流程2.3设计规则――设计者和工艺工程师之间的桥梁2.4集成电路封装2.4.1封装材料2.4.2互连层2.4.3封装中的热学问题2.5综述:工艺技术的发展趋势2.5.1近期进展2.5.2远期展望2.6小结2.7进一步探讨参考文献设计方法插入说明A――IC版图参考文献第3章器件3.1引言3.2二极管3.2.1二极管简介――耗尽区3.2.2静态特性3.2.3动态或瞬态特性3.2.4实际的二极管――二次效应3.2.5二极管SPICE模型3.3MOS(FET)晶体管3.3.1MOS晶体管简介3.3.2静态情况下的MOS晶体管3.3.3实际的MOS晶体管――一些二阶效应3.3.4MOS管的SPICE模型3.4关于工艺偏差3.5综述:工艺尺寸缩小3.6小结3.7进一步探讨参考文献习题设计方法插入说明B――电路模拟进一步探讨参考文献第4章导线4.1引言4.2简介4.3互连参数――电容、电阻和电感4.3.1电容4.3.2电阻4.3.3电感4.4导线模型4.4.1理想导线4.4.2集总模型(LumpedModel)4.4.3集总RC模型4.4.4分布rc线4.4.5传输线4.5导线的SPICE模型4.5.1分布rc线的SPICE模型4.5.2传输线的SPICE模型4.5.3综述:展望未来4.6小结4.7进一步探讨参考文献第二部分电路设计第5章CMOS反相器5.1引言5.2静态CMOS反相器――直观综述5.3CMOS反相器稳定性的评估――静态特性5.3.1开关阈值5.3.2噪声容限5.3.3再谈稳定性5.4CMOS反相器的性能:动态特性5.4.1计算电容值5.4.2传播延时:一阶分析5.4.3从设计角度考虑传播延时5.5功耗、能量和能量延时5.5.1动态功耗5.5.2静态功耗5.5.3综合考虑5.5.4利用SPICE分析功耗5.6综述:

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