Synopsis
Ce travail présente une nouvelle cellule SRAM 5T et 6T à extrémité unique. Ce transistor est une cellule à haute densité ou prend moins de place qu'une cellule SRAM 6T conventionnelle. Le courant de fuite de cette cellule est très faible par rapport aux autres cellules 5T ou 6T conventionnelles. Un circuit de précharge est nécessaire pour cette cellule, comme c'est le cas pour la cellule SRAM 6T conventionnelle. Cette cellule est également économe en énergie. Les résultats montrent également que les données stockées dans cette cellule sont très stables. Il est toujours possible d'améliorer tout type de circuit ou d'application. La configuration proposée peut être améliorée à l'aide de diverses techniques. Nous pouvons modifier le rapport d'aspect de la cellule pour obtenir de meilleurs résultats. Nous pouvons appliquer le gating d'horloge pour un circuit économe en énergie. Nous pouvons améliorer le circuit périphérique pour de meilleures performances.
"synopsis" may belong to another edition of this title.
Search results for CMOS SRAM Conception et analyse d'une cellule SRAM...
Stock Image
CMOS SRAM Conception et analyse d'une cellule SRAM ? faible fuite et ? grande vitesse
Seller: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, United Kingdom
Seller rating 4 out of 5 stars
PAP. Condition: New. New Book. Shipped from UK. Established seller since 2000. Seller Inventory # L2-9786208332006
Buy New
£ 45.91
£ 3.29 shipping
Ships from United Kingdom to U.S.A.
Ships from United Kingdom to U.S.A.
Quantity: Over 20 available
Stock Image
CMOS SRAM Conception et analyse d'une cellule SRAM ? faible fuite et ? grande vitesse
Seller: PBShop.store US, Wood Dale, IL, U.S.A.
Seller rating 5 out of 5 stars
PAP. Condition: New. New Book. Shipped from UK. Established seller since 2000. Seller Inventory # L2-9786208332006
Stock Image
CMOS SRAM Conception et analyse d'une cellule SRAM à faible fuite et à grande vitesse (French Edition)
Seller: Ria Christie Collections, Uxbridge, United Kingdom
Seller rating 5 out of 5 stars
Condition: New. In. Seller Inventory # ria9786208332006_new
Buy New
£ 43.25
£ 11.98 shipping
Ships from United Kingdom to U.S.A.
Ships from United Kingdom to U.S.A.
Quantity: Over 20 available
Stock Image
CMOS SRAM Conception et analyse d'une cellule SRAM à faible fuite et à grande vitesse
Published by
Editions Notre Savoir Nov 2024, 2024
ISBN 10: 6208332001
ISBN 13: 9786208332006
New
Taschenbuch
Seller: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Germany
Seller rating 5 out of 5 stars
Taschenbuch. Condition: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware 88 pp. Französisch. Seller Inventory # 9786208332006
Stock Image
CMOS SRAM Conception et analyse d'une cellule SRAM ? faible fuite et ? grande vitesse (French Edition)
Print on DemandSeller: Majestic Books, Hounslow, United Kingdom
Seller rating 4 out of 5 stars
Condition: New. Print on Demand. Seller Inventory # 409045803
Buy New
£ 66.75
£ 6.50 shipping
Ships from United Kingdom to U.S.A.
Ships from United Kingdom to U.S.A.
Quantity: 4 available
Stock Image
CMOS SRAM Conception et analyse d'une cellule SRAM ? faible fuite et ? grande vitesse (French Edition)
Print on DemandSeller: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.
Seller rating 4 out of 5 stars
Condition: New. Print on Demand. Seller Inventory # 26404108532
Stock Image
CMOS SRAM Conception et analyse d'une cellule SRAM ? faible fuite et ? grande vitesse (French Edition)
Print on DemandSeller: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Germany
Seller rating 4 out of 5 stars
Condition: New. PRINT ON DEMAND. Seller Inventory # 18404108542
Seller Image
CMOS SRAM Conception et analyse d'une cellule SRAM à faible fuite et à grande vitesse
Published by
Editions Notre Savoir Nov 2024, 2024
ISBN 10: 6208332001
ISBN 13: 9786208332006
New
Taschenbuch
Seller: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Germany
Seller rating 5 out of 5 stars
Taschenbuch. Condition: Neu. Neuware -Ce travail présente une nouvelle cellule SRAM 5T et 6T à extrémité unique. Ce transistor est une cellule à haute densité ou prend moins de place qu'une cellule SRAM 6T conventionnelle. Le courant de fuite de cette cellule est très faible par rapport aux autres cellules 5T ou 6T conventionnelles. Un circuit de précharge est nécessaire pour cette cellule, comme c'est le cas pour la cellule SRAM 6T conventionnelle. Cette cellule est également économe en énergie. Les résultats montrent également que les données stockées dans cette cellule sont très stables. Il est toujours possible d'améliorer tout type de circuit ou d'application. La configuration proposée peut être améliorée à l'aide de diverses techniques. Nous pouvons modifier le rapport d'aspect de la cellule pour obtenir de meilleurs résultats. Nous pouvons appliquer le gating d'horloge pour un circuit économe en énergie. Nous pouvons améliorer le circuit périphérique pour de meilleures performances.Books on Demand GmbH, Überseering 33, 22297 Hamburg 88 pp. Französisch. Seller Inventory # 9786208332006
Stock Image
CMOS SRAM Conception et analyse d'une cellule SRAM à faible fuite et à grande vitesse
Print on DemandSeller: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Germany
Seller rating 5 out of 5 stars
Taschenbuch. Condition: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering. Seller Inventory # 9786208332006
Seller Image
CMOS SRAM Conception et analyse d'une cellule SRAM à faible fuite et à grande vitesse
Seller: preigu, Osnabrück, Germany
Seller rating 5 out of 5 stars
Taschenbuch. Condition: Neu. CMOS SRAM Conception et analyse d'une cellule SRAM à faible fuite et à grande vitesse | Rohin Gupta (u. a.) | Taschenbuch | Einband - flex.(Paperback) | Französisch | 2024 | Editions Notre Savoir | EAN 9786208332006 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu. Seller Inventory # 130582283