Items related to Entwurf von SRAM mit geringem Leckstrom
Synopsis
Die meisten Forschungsarbeiten über den Stromverbrauch von Schaltkreisen konzentrierten sich auf die Schaltleistung, und die durch den Leckstrom verbrauchte Leistung war ein relativ unbedeutender Bereich. Bei den aktuellen VLSI-Prozessen wird der Sub-Threshold-Strom jedoch zu einem der wichtigsten Faktoren für den Stromverbrauch, insbesondere bei High-End-Speichern. Um die Leckleistung im SRAM zu reduzieren, kann die Power-Gating-Methode angewandt werden, und eine wichtige Technik des Power-Gating ist die Verwendung von Sleep-Transistoren zur Steuerung des Sub-Threshold-Stroms. In diesem Projekt werden doppelte Schwellenspannungen verwendet; normale SRAM-Zellen haben niedrigere Schwellenspannungen und die höheren Schwellenspannungen steuern die Sleep-Transistoren. Die Größe der Sleep-Transistoren kann anhand des Worst-Case-Stroms gewählt werden und wird auf jeden Block angewendet.
"synopsis" may belong to another edition of this title.
Search results for Entwurf von SRAM mit geringem Leckstrom
Seller Image
Entwurf von SRAM mit geringem Leckstrom
Published by
Verlag Unser Wissen Apr 2023, 2023
ISBN 10: 6205915243
ISBN 13: 9786205915240
New
Taschenbuch
Seller: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Germany
Seller rating 5 out of 5 stars
Taschenbuch. Condition: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Die meisten Forschungsarbeiten über den Stromverbrauch von Schaltkreisen konzentrierten sich auf die Schaltleistung, und die durch den Leckstrom verbrauchte Leistung war ein relativ unbedeutender Bereich. Bei den aktuellen VLSI-Prozessen wird der Sub-Threshold-Strom jedoch zu einem der wichtigsten Faktoren für den Stromverbrauch, insbesondere bei High-End-Speichern. Um die Leckleistung im SRAM zu reduzieren, kann die Power-Gating-Methode angewandt werden, und eine wichtige Technik des Power-Gating ist die Verwendung von Sleep-Transistoren zur Steuerung des Sub-Threshold-Stroms. In diesem Projekt werden doppelte Schwellenspannungen verwendet; normale SRAM-Zellen haben niedrigere Schwellenspannungen und die höheren Schwellenspannungen steuern die Sleep-Transistoren. Die Größe der Sleep-Transistoren kann anhand des Worst-Case-Stroms gewählt werden und wird auf jeden Block angewendet. 56 pp. Deutsch. Seller Inventory # 9786205915240
Seller Image
Entwurf von SRAM mit geringem Leckstrom
Print on DemandSeller: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Germany
Seller rating 5 out of 5 stars
Taschenbuch. Condition: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Die meisten Forschungsarbeiten über den Stromverbrauch von Schaltkreisen konzentrierten sich auf die Schaltleistung, und die durch den Leckstrom verbrauchte Leistung war ein relativ unbedeutender Bereich. Bei den aktuellen VLSI-Prozessen wird der Sub-Threshold-Strom jedoch zu einem der wichtigsten Faktoren für den Stromverbrauch, insbesondere bei High-End-Speichern. Um die Leckleistung im SRAM zu reduzieren, kann die Power-Gating-Methode angewandt werden, und eine wichtige Technik des Power-Gating ist die Verwendung von Sleep-Transistoren zur Steuerung des Sub-Threshold-Stroms. In diesem Projekt werden doppelte Schwellenspannungen verwendet; normale SRAM-Zellen haben niedrigere Schwellenspannungen und die höheren Schwellenspannungen steuern die Sleep-Transistoren. Die Größe der Sleep-Transistoren kann anhand des Worst-Case-Stroms gewählt werden und wird auf jeden Block angewendet. Seller Inventory # 9786205915240
Seller Image
Entwurf von SRAM mit geringem Leckstrom
Published by
Verlag Unser Wissen, 2023
ISBN 10: 6205915243
ISBN 13: 9786205915240
New
Kartoniert / Broschiert
Seller: moluna, Greven, Germany
Seller rating 5 out of 5 stars
Kartoniert / Broschiert. Condition: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: Tripathi Rajan PrasadHerr Rajan Prasad Tripathi arbeitet als Assistenzprofessor in der Abteilung fuer Elektronik und Kommunikationstechnik, Amity School of Engineering and Technology. Herr Rahul Kumar Verma arbeitet als Assistenzprofe. Seller Inventory # 857963863
Buy New
£ 34.26
£ 40.83 shipping
Ships from Germany to U.S.A.
Ships from Germany to U.S.A.
Quantity: Over 20 available
Seller Image
Entwurf von SRAM mit geringem Leckstrom
Published by
Verlag Unser Wissen Apr 2023, 2023
ISBN 10: 6205915243
ISBN 13: 9786205915240
New
Taschenbuch
Seller: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Germany
Seller rating 5 out of 5 stars
Taschenbuch. Condition: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Die meisten Forschungsarbeiten über den Stromverbrauch von Schaltkreisen konzentrierten sich auf die Schaltleistung, und die durch den Leckstrom verbrauchte Leistung war ein relativ unbedeutender Bereich. Bei den aktuellen VLSI-Prozessen wird der Sub-Threshold-Strom jedoch zu einem der wichtigsten Faktoren für den Stromverbrauch, insbesondere bei High-End-Speichern. Um die Leckleistung im SRAM zu reduzieren, kann die Power-Gating-Methode angewandt werden, und eine wichtige Technik des Power-Gating ist die Verwendung von Sleep-Transistoren zur Steuerung des Sub-Threshold-Stroms. In diesem Projekt werden doppelte Schwellenspannungen verwendet; normale SRAM-Zellen haben niedrigere Schwellenspannungen und die höheren Schwellenspannungen steuern die Sleep-Transistoren. Die Größe der Sleep-Transistoren kann anhand des Worst-Case-Stroms gewählt werden und wird auf jeden Block angewendet.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 56 pp. Deutsch. Seller Inventory # 9786205915240
Seller Image
Entwurf von SRAM mit geringem Leckstrom
Seller: preigu, Osnabrück, Germany
Seller rating 5 out of 5 stars
Taschenbuch. Condition: Neu. Entwurf von SRAM mit geringem Leckstrom | Rajan Prasad Tripathi (u. a.) | Taschenbuch | 56 S. | Deutsch | 2023 | Verlag Unser Wissen | EAN 9786205915240 | Verantwortliche Person für die EU: SIA OmniScriptum Publishing, Brivibas Gatve 197, 1039 RIGA, LETTLAND, customerservice[at]vdm-vsg[dot]de | Anbieter: preigu. Seller Inventory # 126839927