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Modélisation de la mobilité des électrons dans les semiconducteurs: Application à l'étude et la modélisation évolutionnaire de la mobilité dans le Nitrure de Gallium (GaN) (Omn.Univ.Europ.) - Softcover
Des matériaux tels que le carbure de silicium (SiC) ou le nitrure de gallium (GaN) sont très attractifs car leur utilisation, dans l'industrie des composants électroniques, permet d'atteindre simultanément de forts courants et de fortes tensions et donc de fortes puissances. C'est en particulier la conséquence des propriétés remarquables des composés III-V à base d'azote que sont les nitrures. Des modèles de la mobilité des électrons dans nitrure de gallium ont été développés au paravent, mais leurs applications sont limitées car ils ne sont pas valables pour les basses températures (T<240K) et les concentrations du dopants (dopage) élevées (N>10E18cm-3), la raison pour laquelle notre livre est destiné à développer des approches analytiques de la mobilité des électrons qui peuvent être utilisées pour étudier le mécanisme de transport des électrons dans le GaN pour des larges gammes de températures et de dopages sous l'effet de n'importe quel champ électrique en utilisant les techniques évolutionnaires.
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About the Author:
Fayçal DJEFFAL est Docteur en Electronique, enseignant chercheur à l'Université de Batna (Algérie), membre du "Laboratoire d'Electronique Avancée"de l'Université de Batna. Ses recherches se situent dans le champ de la Micro et la Nanoélectronique. Son travail se focalise sur l'étude et modélisation des dispositifs électroniques.
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- PublisherEditions universitaires europeennes
- Publication date2010
- ISBN 10 6131551391
- ISBN 13 9786131551390
- BindingPaperback
- Number of pages88
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Modlisation de la Mobilit Des lectrons Dans Les Semiconducteurs
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Modà lisation de la mobilità des à lectrons dans les semiconducteurs
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(2010)
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Modelisation de la mobilite des electrons dans les semiconducteurs
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OmniScriptum 2018-02
(2018)
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Modélisation de la mobilité des électrons dans les semiconducteurs: Application à l'étude et la modélisation évolutionnaire de la mobilité dans le . (GaN) (Omn.Univ.Europ.) (French Edition)
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Editions universitaires europeennes
(2010)
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Modélisation de la mobilité des électrons dans les semiconducteurs
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Éditions Universitaires Européennes Nov 2010
(2010)
ISBN 10: 6131551391
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Book Description Taschenbuch. Condition: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Des matériaux tels que le carbure de silicium (SiC) ou le nitrure de gallium (GaN) sont très attractifs car leur utilisation, dans l'industrie des composants électroniques, permet d'atteindre simultanément de forts courants et de fortes tensions et donc de fortes puissances. C'est en particulier la conséquence des propriétés remarquables des composés III-V à base d'azote que sont les nitrures. Des modèles de la mobilité des électrons dans nitrure de gallium ont été développés au paravent, mais leurs applications sont limitées car ils ne sont pas valables pour les basses températures (T 10E18cm-3), la raison pour laquelle notre livre est destiné à développer des approches analytiques de la mobilité des électrons qui peuvent être utilisées pour étudier le mécanisme de transport des électrons dans le GaN pour des larges gammes de températures et de dopages sous l'effet de n'importe quel champ électrique en utilisant les techniques évolutionnaires. 88 pp. Französisch. Seller Inventory # 9786131551390
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Modlisation de la Mobilit Des lectrons Dans Les Semiconducteurs
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Modélisation de la mobilité des électrons dans les semiconducteurs : Application à l''étude et la modélisation évolutionnaire de la mobilité dans le Nitrure de Gallium (GaN)
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Éditions Universitaires Européennes
(2010)
ISBN 10: 6131551391
ISBN 13: 9786131551390
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Book Description Taschenbuch. Condition: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Des matériaux tels que le carbure de silicium (SiC) ou le nitrure de gallium (GaN) sont très attractifs car leur utilisation, dans l'industrie des composants électroniques, permet d'atteindre simultanément de forts courants et de fortes tensions et donc de fortes puissances. C'est en particulier la conséquence des propriétés remarquables des composés III-V à base d'azote que sont les nitrures. Des modèles de la mobilité des électrons dans nitrure de gallium ont été développés au paravent, mais leurs applications sont limitées car ils ne sont pas valables pour les basses températures (T 10E18cm-3), la raison pour laquelle notre livre est destiné à développer des approches analytiques de la mobilité des électrons qui peuvent être utilisées pour étudier le mécanisme de transport des électrons dans le GaN pour des larges gammes de températures et de dopages sous l'effet de n'importe quel champ électrique en utilisant les techniques évolutionnaires. Seller Inventory # 9786131551390
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Modélisation de la mobilité des électrons dans les semiconducteurs
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(2010)
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